首度突破100層　SK海力士宣布128層NAND - 工程師

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首度突破100層　SK海力士宣布128層NAND Flash開發量產
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原文內容：
SK海力士(SK Hynix)宣布領先業界，完成堆疊128層1Tb三階儲存單元(Triple Level Cell
；TLC)NAND Flash開發量產。回顧2018年10月，SK海力士才宣布完成堆疊96層NAND Flash
開發，2018年底進入量產，時隔不過8個月，SK海力士就順利突破100層堆疊天險，領先業
界量產堆疊128層NAND Flash。

綜合韓國經濟等的報導，2018年10月SK海力士才表示成功研發，採用CTF(Charge Trap
Flash)與PUC(Peri Under Cell)堆疊96層NAND Flash，結合PUC與CTF記憶單元結構，大幅
改善產品功能與生產力，預定2018年底進行量產。

時隔短短8個月，SK海力士26日公開表示，已完成堆疊128層NAND Flash產品的開發量產，
新一代產品將較堆疊96層產品，生產性提升40%、投資效率提高60%，預計2019年下半開始
量產銷售。

目前業界龍頭三星電子(Samsung Electronics)，傳正在開發堆疊128層NAND Flash產品，
就堆疊層數而言，SK海力士領先三星。SK海力士進一步透露，目前正在開發堆疊176層
NAND Flash產品，將與堆疊128層NAND Flash採用相同平台，期望持續透過技術優勢，強
化NAND Flash事業競爭力。


心得/評論：
近期跌價雖然持續收斂，但除了最具成本競爭力的三星電子處於成本損益附近，其他NAND
廠商幾乎都陷入賠錢生產，若下半年的價格跌勢不止，甚至可能業界全面處於虧損，過去
2年來的風光獲利將在2019年回吐以彌補虧損。

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